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AO6604
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V；75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V；8.5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 260pF；560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF；70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF；48pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
AO6604将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- ATMEGA324PA-AU
- 0402WGF750KTCE
- 1206W4F4304T5E
- RT9013-33GB
- SS2150
- 0805W8F270LT5E
- CL32B475KBJNNNE
- BCX53-16,115
- MAX4206ETE+T
- GR228M050L25RR0VZ2FP0
- KF105M050C05RR0VH2FP0
- KF225M050C05RR0VH2FP0
- KF225M050B05RR0VH2FP0
- KF107M010D05RR0VH2FP0
- EF226M016C05RR0VH4FP0
- KF227M016F05RR0VH2FP0
- EF476M010C05RR0VH4FP0
- KM127M450L36RR0VH2FP0
- KM127M450L40RR0VH2FP0
- GR228M063L36RR0VZ2FP0
- KM228M063L30RR0VH2FP0