1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 5+: ¥0.764719 / 个
- 50+: ¥0.624719 / 个
- 150+: ¥0.554719 / 个
- 500+: ¥0.502219 / 个
- 3000+: ¥0.399 / 个 (折合1圆盘1197元)
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500+: |
¥0.502219 / 个 |
3000+: |
¥0.399 / 个 (折合1圆盘1197元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
功率(Pd) | 3.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 46mΩ@10V,6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 830pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):830pF @ 15V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC