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UCC27201DR

120 V自举、3 A峰值、高频、高端和低端驱动器

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描述: 高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC27201DR
商品编号: C47661
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.173克(g)

商品参数

商品概述

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器包含一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，以实现最大的控制灵活性。这使得该驱动器可用于半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中的N沟道MOSFET控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管可省去外部分立二极管。高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，将强制输出为低电平。 UCC27200有两个版本。UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，而UCC27201具有TTL兼容阈值。

商品特性

-以高端和低端配置驱动两个N沟道MOSFET -高端可处理负电压(–5V) -最大自举电压为120V -最大VDD电压为20V -片上0.65V正向压降、0.6Ω内阻的自举二极管 -工作频率大于1MHz -传播延迟时间为20ns -灌电流和拉电流输出均为3A -负载为1000pF时,上升时间为8ns,下降时间为7ns -延迟匹配为1ns -高端和低端驱动器具备欠压锁定功能 -工作温度范围为–40℃至140℃

应用领域

电信、数据通信和商用市场的电源
半桥应用和全桥转换器
隔离总线架构
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
高压同步降压转换器
D类音频放大器

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交22单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	8V~17V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	7ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~2.5V
	输入低电平(VIL)	800mV~1.6V
	静态电流(Iq)	400uA