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CID45N65MD8

氮化镓MOS 650V50毫欧

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描述
氮化镓MOS 650V50毫欧
商品型号
CID45N65MD8
商品编号
C46491531
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
1.265克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)35A
耗散功率(Pd)169W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6.3nC
输入电容(Ciss)227pF
反向传输电容(Crss)0.8pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)60pF
导通电阻(RDS(on))42mΩ

数据手册PDF