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CID45N65MD8

氮化镓MOS 650V50毫欧

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描述
氮化镓MOS 650V50毫欧
商品型号
CID45N65MD8
商品编号
C46491531
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
1.265克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型N沟道
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)35A
耗散功率(Pd)169W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)6.3nC
输入电容(Ciss)227pF
反向传输电容(Crss)0.8pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)60pF
导通电阻(RDS(on))42mΩ

商品特性

  • 650V 氮化镓增强型功率开关
  • RDS(on), max 50mΩ
  • 推荐栅极驱动电压 0V ~ 6V
  • 超低优值系数
  • 超高开关频率
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 单片集成 ESD 保护,HBM 等级 2,CDM 等级 C3

应用领域

  • AC-DC 转换器
  • DC-DC 转换器
  • 无桥图腾柱 PFC
  • 数据中心
  • 电信与网络 SMPS
  • 不间断电源
  • 太阳能逆变器
  • 储能系统
  • 无线电力传输
  • 电源适配器
  • LED 照明驱动器
  • 激光驱动器
  • 工业电机驱动

数据手册PDF

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