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CSD25310Q2
1个P沟道 耐压:20V 电流:9.6A
- 描述
- CSD25310Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25310Q2
- 商品编号
- C468254
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.9mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.7pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款 19.9 mΩ、-20 V P 沟道器件旨在以超薄且具有出色散热特性的极小封装提供更低的导通电阻和栅极电荷。该器件将低导通电阻与 SON 2 mm × 2 mm 塑料封装的极小封装尺寸融为一体，堪称电池供电型空间受限应用的理想之选。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低导通电阻
- 低热阻
- 无铅
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 2 mm × 2 mm 塑料封装
应用领域
- 电池管理
- 负载管理
- 电池保护
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