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CSD25310Q2
1个P沟道 耐压:20V 电流:9.6A
- 描述
- CSD25310Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25310Q2
- 商品编号
- C468254
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.9mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.7pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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