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IKQ75N120CH3
IGBT单管
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- 描述
- 特性：高速H3技术提供: 硬开关和谐振拓扑中的高效率。 在Tv = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。 由于VcEsat的正温度系数，易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。 充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQ75N120CH3
- 商品编号
- C467848
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 938W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.35V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@2.6mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 370nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.856nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 34ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 282ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 370ns |
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