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DMG4413LSS-13
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG4413LSS-13
- 商品编号
- C460050
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.965nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 711pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 另有符合汽车应用标准的型号（DMG4413LSSQ），其数据手册单独提供
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器