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DMN1150UFB-7B
1个N沟道 耐压:12V 电流:1.41A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1150UFB-7B
- 商品编号
- C459538
- 商品封装
- DFN-3L(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@2.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 106pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低VGS(TH)，可直接由电池驱动
- 低RDS(ON)
- 栅极具备2kV静电放电保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC - Q中所引用），具备高可靠性
应用领域
- 负载开关
- 便携式应用
- 电源管理功能