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IPA60R360P7S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA60R360P7S

1个N沟道 耐压:650V 电流:26A

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描述
第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
商品型号
IPA60R360P7S
商品编号
C459165
商品封装
TO-220FP​
包装方式
管装
商品毛重
2.906克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on))360mΩ@10V,2.7A
耗散功率(Pd)22W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)555pF@400V
反向传输电容(Crss)214pF@400V
工作温度-40℃~+150℃

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