温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF1010EZPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:75A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF1010EZPBF
- 商品编号
- C459930
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.752克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,51A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅