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IRF3205ZSTRLPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:75A
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- 描述
- 此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度以及改进的重复雪崩/降额性能。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF3205ZSTRLPBF
- 商品编号
- C459959
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.661克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,66A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@44V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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