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IRF540ZPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
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- 描述
- 这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF540ZPBF
- 商品编号
- C459970
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.5mΩ@10V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 92W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计，采用最新的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为汽车应用和其他各种应用中极其高效且可靠的器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 直至Tjmax均允许重复雪崩
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