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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF60B217

1个N沟道 耐压:60V 电流:60A

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描述
特性:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征了电容和雪崩 SOA。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准,无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
商品型号
IRF60B217
商品编号
C459972
商品封装
TO-220AB​
包装方式
编带
商品毛重
3.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))7.3mΩ@10V,36A
耗散功率(Pd)83W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.1V
栅极电荷量(Qg)66nC
输入电容(Ciss)2.23nF
反向传输电容(Crss)140pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
  • 全面表征的电容和雪崩安全工作区
  • 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
  • 无铅*
  • 符合 RoHS 标准,无卤素

应用领域

  • 有刷电机驱动应用
  • 无刷直流电机驱动应用
  • 电池供电电路
  • 半桥和全桥拓扑
  • 同步整流器应用
  • 谐振模式电源
  • 或门和冗余电源开关
  • DC/DC 和 AC/DC 转换器
  • DC/AC 逆变器

数据手册PDF