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IRF1310NSTRLPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其较低的内部连接电阻，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。通孔版本适用于低外形应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF1310NSTRLPBF
- 商品编号
- C459935
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.665克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 对于低外形应用，可提供通孔版本（IRF1310NL）。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 表面贴装（IRF1310NS）
- 低外形通孔（IRF1310NL）
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅