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IRF2805STRLPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:135A
- 描述
- 这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该产品的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效且可靠的器件
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF2805STRLPBF
- 商品编号
- C459952
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.668克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V,104A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.11nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。该产品的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅
应用领域
- 工业电机驱动