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DMN3730U-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:940mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3730U-7
- 商品编号
- C459540
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 940mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 64.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6.1pF |
商品概述
这些超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的漏源导通电阻（RDS(on)）×面积
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用