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DMP1100UCB4-7
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.2A
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- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。它是一款采用超小型0.8mm × 0封装的高性能MOSFET。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1100UCB4-7
- 商品编号
- C459547
- 商品封装
- X2-WLB0808-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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