SI8235BD-D-ISR
0.5A和4.0A隔离驱动器(2.5kVrms和5kVrms)
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- 描述
- 门极驱动
- 商品型号
- SI8235BD-D-ISR
- 商品编号
- C457394
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字隔离器 | |
| 正向通道数 | 2 | |
| 反向通道数 | 2 | |
| 最大数据速率 | 8Mbps | |
| 默认输出 | 低电平 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| CMTI(kV/us) | 45kV/us | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压(VCCA) | 6.5V~24V | |
| 工作电压(VCCB) | 6.5V~24V | |
| 传播延迟(tpd) | 45ns |
商品概述
Si823x隔离驱动器系列将两个独立的隔离驱动器集成到一个封装中。Si8230/1/3/4是高端/低端驱动器,而Si8232/5/7/8是双驱动器。有峰值输出电流为0.5 A(Si8230/1/2/7)和4.0 A(Si8233/4/5/8)的版本可供选择。所有驱动器的最大电源电压为24 V。 Si823x驱动器采用了Silicon Labs专有的硅隔离技术,根据UL1577标准,该技术可提供高达5 kVRMS的耐受电压,且传播时间仅为快速的45 ns。驱动器输出可以接地到相同或不同的地,也可以连接到正电压或负电压。具有>400 mV迟滞的TTL电平兼容输入,有单独控制输入(Si8230/2/3/5/7/8)或PWM输入(Si8231/4)两种配置。高度集成、低传播延迟、小安装尺寸、灵活性和成本效益使Si823x系列非常适合广泛的隔离MOSFET/IGBT栅极驱动应用。 某些部件号提供汽车级产品。这些产品在制造过程的所有步骤中都采用了汽车专用流程,以确保汽车应用所需的耐用性和低缺陷率。
商品特性
- 一个封装内包含两个完全隔离的驱动器
- 输入到输出隔离电压高达5 kVRMS
- 驱动器之间的峰值直流差分电压高达1500 V
- 有高端/低端和双驱动器版本
- 开关频率高达8 MHz
- 峰值输出0.5 A(Si8230/1/2/7)
- 峰值输出4.0 A(Si8233/4/5/8)
- 高电磁抗扰度
- 符合RoHS标准的封装:SOIC-14/16宽体、SOIC-16窄体、LGA-14、QFN-14(引脚与LGA-14封装兼容)
- 通过AEC-Q100认证
- 提供汽车级产品型号
- 支持符合AIAG标准的PPAP文档
- 支持IMDS和CAMDS列表
应用领域
- 工业应用:
- 电力输送系统
- 电机控制系统
- 隔离式直流-直流电源
- 照明控制系统
- 等离子显示器
- 太阳能和工业逆变器
- 汽车应用:
- 车载充电器
- 电池管理系统
- 充电站
- 牵引逆变器
- 混合动力电动汽车
- 纯电动汽车
优惠活动
购买数量
(1250个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1250个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交25单

