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TX15N10B
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- TX15N10B 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且适用于需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
- 品牌名称
- XDS(芯鼎盛)
- 商品型号
- TX15N10B
- 商品编号
- C448634
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
TX15N10B 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适合低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及需要极小外形尺寸表面贴装封装且线路功率损耗低的应用。
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 手机
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路