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TX50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- TX50N06 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用
- 品牌名称
- XDS(芯鼎盛)
- 商品型号
- TX50N06
- 商品编号
- C448633
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.351克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品概述
TX50N06是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(on)
- 出色的封装，具有良好的散热性能
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