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DMMT5551-7-F
NPN 电流:200mA 电压:160V
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP类型。 适用于低功率放大和开关。 本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMMT5551-7-F
- 商品编号
- C445514
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@10mA,5.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 2个NPN |