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ZXTC2062E6TA
NPN+PNP 电流:4A 电压:20V
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- 描述
- 特性：NPN + PNP组合。 BVCEO > 20 (-20)V。 BVEBO > 7 (-7)。 连续集电极电流 IC = 4 (-3.5)A。 VCE(sat) < 50 (-65)mV @ 1A。 RCE(sat) = 35 (54)mΩ。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 电机驱动
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTC2062E6TA
- 商品编号
- C444407
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 直流电流增益(hFE) | 140@4A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 215MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 115mV@2.0A,40mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |