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DMN55D0UT-7
1个N沟道 耐压:50V 电流:160mA
- 描述
- 特性：低导通电阻。 极低的栅极阈值电压。 低输入电容。 栅极具有2kV ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备PPAP能力
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN55D0UT-7
- 商品编号
- C443623
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 636pC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 栅极具备2kV静电放电保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力