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PJM65H0D5NSA
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- N沟道，VDS=650V ID=50mA ,PD:1.39W RDS(ON)<175Ω@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM65H0D5NSA
- 商品编号
- C42431756
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.39W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF |
商品概述
CMSA18P10B采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)
- 低反向传输电容
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
- 电源管理