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PJM139NSA
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- N沟道，VDS=50V ID=0.5A ,PD:0.35W RDS(ON)<3Ω@Vgs=10V,带ESD保护
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM139NSA
- 商品编号
- C42431759
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 26.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.9pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 坚固可靠
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)
- 静电放电(HBM)保护高达2KV
- 在VGS = 10 V时,RDS(on) < 3 Ω
应用领域
- 固态继电器
- 电池供电系统
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS