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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJM03P40SA

P沟道增强型功率MOSFET

描述
P沟道,VDS=-40V ID=-3A ,PD:0.7W RDS(ON)<138mΩ@Vgs=-10V
品牌名称
PJSEMI(平晶微)
商品型号
PJM03P40SA
商品编号
C42431758
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0238克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))138mΩ@10V
耗散功率(Pd)700mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)8.5nC@10V
输入电容(Ciss)240pF@20V
反向传输电容(Crss)24.5pF@20V
类型P沟道

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

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