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PJM03P40SA
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- P沟道，VDS=-40V ID=-3A ,PD:0.7W RDS(ON)<138mΩ@Vgs=-10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM03P40SA
- 商品编号
- C42431758
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0238克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 138mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.5pF | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
CMSA015N06采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于服务器同步整流及通用应用。
商品特性
-先进沟槽技术-符合RoHS和REACH标准-无卤素和锑-湿度敏感度等级1级
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理