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DOD609D
N+P沟道MOSFET
- 描述
- N+P管/40V/20A/25mΩ/(典型17mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD609D
- 商品编号
- C42412126
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W；20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 40 V,ID = 20 A,VGS = 10 V时RDS(ON) < 25 mΩ
- VGS = 4.5 V时RDS(ON) < 35 mΩ
- P沟道:VDS = -40 V,ID = -12 A,VGS = 10 V时RDS(ON) < 40 mΩ
- VGS = 4.5 V时RDS(ON) < 52 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。