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DOD619B
N+P沟道MOSFET
- 描述
- N+P管/40V/25A/20mΩ/(典型14mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD619B
- 商品编号
- C42412128
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@8V；7.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 979pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67.5pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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