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DOU50N06
N沟道MOSFET
- 描述
- N管/60V/50A/15mΩ/(典型11mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOU50N06
- 商品编号
- C42412134
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.928nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。 它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 50 A,在栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 15 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 出色的封装,散热性能良好。