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DOP30N06
采用先进沟槽技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
- 描述
- N管/60V/30A/30mΩ/(典型24mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP30N06
- 商品编号
- C42412138
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V；31mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.007nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 30 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 30 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 出色的封装,散热性能良好。
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