温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOD603
N沟道和P沟道MOSFET 停产
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道和P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD603
- 商品编号
- C42412130
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44456克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W；23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V；37.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF；1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF；75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF；90pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单