温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOD639B
N沟道和P沟道MOSFET
- 描述
- N+P管/40V/60A/5.5mΩ/(典型4.2mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD639B
- 商品编号
- C42412129
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.429175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A；38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V；10.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V；41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF；3.119nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF；225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF；237pF |
商品概述
这款N沟道和P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道:VDS = 40 V,ID = 60 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 5.5 mΩ
- P沟道:VDS = -40 V,ID = -38 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 15 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 出色的封装,散热性能良好。
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器