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DOD629C
N+P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P管/40V/28A/13mΩ/(典型10mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD629C
- 商品编号
- C42412127
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W；45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.2nC@10V；20.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.396nF；1.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF；135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF；150pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道:VDS = 40 V,ID = 28 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 13 mΩ
- P沟道:VDS = -40 V,ID = -35 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 18 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。