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DOD20P10
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-100V/-20A/100mΩ/(典型80mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD20P10
- 商品编号
- C42412123
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.077nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。 它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = -100 V,ID = -20 A,在 VGS = -10 V 时,RDS(ON) < 100 m Ω(典型值:80 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。
- MSL3