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DOD617S
N+P沟道MOSFET
- 描述
- N+P管/30V/30A/10mΩ/(典型7.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD617S
- 商品编号
- C42412125
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V；19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W；23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V；50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF；1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF；130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF；140pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON),适用于多种应用。
商品特性
- N沟道:VDS = 30 V,ID = 30 A,在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 10 m Ω
- 在 VGS=4.5 V 时,RDS(ON)< 17 m Ω
- P沟道:VDS = -30 V,ID = -22 A,在 VGS = -10 V 时,RDS(ON) < 25 m Ω
- 在 VGS=-4.5 V 时,RDS(ON)< 40 m Ω
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
- 湿度敏感度等级3(MSL3)