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FQD10N60SE
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- N-Channel沟道,VDSS= 650V,ID=10A，RDS(on):0.9Ω (Max) @VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD10N60SE
- 商品编号
- C42404735
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 35 nC（典型值）。
- VDSS = 650 V，ID = 10 A
- RDS(导通)：0.9 Ω（最大值）@ V_G = 10 V
- 100% 雪崩测试
- TO - 252
- 符合 RoHS 标准