FQD3N50XD
FQD3N50XD
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- 描述
- N-Channel沟道, VDSS=500V,ID=5A,RDS(on)typ(@VGS=10V)=2.4Ω
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD3N50XD
- 商品编号
- C42404745
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高耐用性
应用领域
- 高频开关模式电源
- 电子镇流器
- LED电源
