温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD2N65SE
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N-Channel沟道,BVDSS=650V,ID=2A，RDS(on):4.8Ω(Max)@VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD2N65SE
- 商品编号
- C42404739
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4674克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单