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FQD4N60SE
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 描述
- N-Channel沟道,VDSS=650V,ID=4A，RDS(on):2.50Ω(Max)@VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD4N60SE
- 商品编号
- C42404742
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 14nC(典型值)。
- VDSS = 650 V,ID = 4 A
- RDS(导通):2.50 Ω(最大值)@ VG = 10 V
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 功率开关应用
- 电池管理
- 不间断电源