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SP010N01BLGHTO
大电流SGT MOSFET 耐压:100V 电流:350A
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- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：350A,Rdson：1.3mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP010N01BLGHTO
- 商品编号
- C42404759
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.06855克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.071nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.241nF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 14nC（典型值）。
- VDSS = 650 V，ID = 4 A
- RDS(导通)：2.50 Ω（最大值）@ VG = 10 V
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准