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FQD7N60SE
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- N-Channel沟道,VDSS=650V,ID=7A,RDS(on) : 1.35Ω (Max) @VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD7N60SE
- 商品编号
- C42404747
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 29nC(典型值)。
- VDSS = 650 V,ID = 7 A
- RDS(on):1.35 Ω(最大值)@ VG = 10 V
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制-便携式电源适配器
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