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FQPF10N60SE
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
- 描述
- N-Channel沟道,BVDSS=650V,ID=10A，RDS(on):0.9Ω(Max)@VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQPF10N60SE
- 商品编号
- C42404737
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 35 nC(典型值)。
- BVDSS = 650 V,ID = 10 A
- RDS(on):0.9 Ω(最大值),@ VG = 10 V
- 100% 雪崩测试
- TO - 220F 封装
- 符合 RoHS 标准
- 合规