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FQD2N60SE
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
- 描述
- N-Channel沟道,BVDSS=650V,ID=2A，RDS(on):4.8Ω(Max)@VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD2N60SE
- 商品编号
- C42404738
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46728克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 本征电容低。
- 开关特性出色。
- 安全工作区扩展。
- 栅极电荷无与伦比:Qg = 90nC(典型值)。
- BVDSS = 650V,ID = 2A
- RDS(导通):4.8 Ω(最大值)@VG = 10V
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 电机驱动-电动工具-LED照明