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MPT110N8F6
N沟道118A 85V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：118A 功率(Pd)：156.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.4mΩ@10V,50A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT110N8F6
- 商品编号
- C42401742
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 118A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.217nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- VDS = 85 V,VGS = 10 V、ID = 118 A时,Rds(on) < 6.5 mΩ(典型值:5.4 mΩ)
- 快速开关
- 低导通电阻(RDS(on) ≤ 6.5 mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐用性
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 开关应用
- 电机驱动器