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MPF3N150
N沟道3A 1500V
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1500V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2Ω@10V,1.5A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF3N150
- 商品编号
- C42401746
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.938nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.2pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSI8810TP采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流ID = 7 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用