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BMW65N190UC1
N沟道 650V 20A
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V,20A,190mΩ@10V
- 商品型号
- BMW65N190UC1
- 商品编号
- C42401706
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 152W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品概述
BMx65N190UC1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 超快体二极管。
- 由于极低的品质因数（FOM）Rdson*Qg和Eoss，损耗极低。
- 极高的换向耐用性。
应用领域
- 电脑电源。-交直流电源。-电信/服务器。-太阳能逆变器。
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