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BMB65N380E1
N沟道 650V 9.6A
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V,9.6A,380mΩ@10V
- 商品型号
- BMB65N380E1
- 商品编号
- C42401707
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 624pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 224pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BMB65N380E1是一款功率MOSFET,采用了Bestirpower先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,可提供更高的效率。这些用户友好型器件能为设计人员带来低电磁干扰(EMI)优势,同时具备低开关损耗。
商品特性
- 降低开关和传导损耗
- 降低开关噪声
- 100%雪崩测试
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)、硬开关和软开关拓扑
- 工业和消费类电源
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