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MDT19N10L
N沟道19A 100V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,5A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT19N10L
- 商品编号
- C42401743
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.508克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MDT19N10L采用先进的沟槽技术,具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于广泛的应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 19 A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 90 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 115 mΩ
- 高密度单元设计,降低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性好
- 采用优良封装,散热性能好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源