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MDT25N06L
N沟道25A 60V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：44W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,10A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT25N06L
- 商品编号
- C42401744
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45864克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MDT25N06L采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V, ID = 25 A
- RDS(ON)< 35 m Ω@ VGS=10 V
- RDS(ON)< 40 m Ω@ VGS=4.5 V
- 高密度单元设计,降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源