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MDT35N06L
N沟道35A 60V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：44W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,10A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT35N06L
- 商品编号
- C42401745
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MDT35N06L采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 60 V，漏极电流（ID）= 35 A
- 栅源电压（VGS）= 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 30 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 40 mΩ
- 高密度单元设计，降低导通电阻
- 具备全面表征的雪崩电压和电流
- 高抗雪崩能力，稳定性和一致性良好
- 封装散热性能出色
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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